پژوهشگران دانشگاه تهران، موفق شدند با بهرهگیری از غشای آمنیوتیک حلشده (SAM)، کارایی داربستهای چاپ سهبعدی در مهندسی بافت استخوان را بهطور معناداری افزایش دهند؛ رویکردی نوآورانه که میتواند افقهای تازهای در درمان نقصهای استخوانی بگشاید.
به گزارش خبرگزاری سیناپرس ، موسی کهتری عضو هیأت علمی دانشکده علوم دانشگاه تهران، درباره این پژوهش گفت: یکی از چالشهای اصلی در استفاده از پلیمر پلیکاپرولاکتون در کاربردهای زیستپزشکی، ماهیت آبگریز آن است که تعامل سلول با داربست را محدود میکند. در این مطالعه تلاش کردیم با یک اصلاح سطحی زیستی و کمهزینه، این محدودیت را برطرف کنیم.
وی با بیان اینکه در این پژوهش از فناوری چاپ سهبعدی به روش FDM استفاده شده است، افزود: داربستهای چاپشده پس از تولید، با غشای آمنیوتیک حلشده بهعنوان یک ماتریکس خارجسلولی زیستی پوشش داده شدند. این روش نسبت به استفاده از بافت تازه یا منجمد، سادهتر و کاربردیتر است.
عضو هیأت علمی دانشکده علوم دانشگاه تهران با اشاره به نتایج آزمایشگاهی این تحقیق اظهار کرد: نتایج مطالعات برونتنی نشان داد که داربستهای حاوی غلظت بهینه SAM، توان تمایز استخوانی سلولهای بنیادی مزانشیمی بند ناف را بهطور قابل توجهی افزایش میدهند؛ بهگونهای که شاخصهایی مانند فعالیت آلکالین فسفاتاز، رسوب کلسیم و بیان ژنهای مرتبط با استخوانسازی بهبود چشمگیری داشت.
کهتری ادامه داد: در بخش مطالعات درونتنی نیز مشاهده شد که میزان تشکیل استخوان و محتوای کلاژن در نمونههای پوششدادهشده با SAM بهطور معناداری بیشتر از گروه کنترل است؛ بهطوریکه حجم استخوان تشکیلشده در این گروه افزایش قابل توجهی را نشان داد.
وی با تأکید بر کاربردی بودن این دستاورد علمی تصریح کرد: این پژوهش یک راهکار اصلاح سطح پس از ساخت را معرفی میکند که هم مقرونبهصرفه است و هم قابلیت توسعه برای مطالعات آینده را دارد. نتایج نشان میدهد استفاده از غشای آمنیوتیک حلشده میتواند نقش موثری در ارتقای عملکرد داربستهای مهندسی بافت استخوان ایفا کند.
عضو هیأت علمی دانشگاه تهران در پایان خاطرنشان کرد: امیدواریم این رویکرد، زمینهساز توسعه نسل جدیدی از داربستهای زیستی در درمان نقصهای استخوانی و کاربردهای بالینی آینده باشد.
این مطالعه در قالب پایان نامه کارشناسی ارشد شیما شروعی و به راهنمایی سید جعفری و کهتری و همچنین با همکاری یوخن سالبر از «دانشگاه روهر» آلمان به انجام رسیده است.
