فهرست بستن

تولید انبوه حافظه های 10 نانومتری SK Hynix آغاز شد

کمپانی کره‌ای SK Hynix پس از تولید محدود و آزمایشی تراشه‌های DRAM با معماری 1ynm، هم اکنون تولید انبوه حافظه های 10 نانومتری LPDDR4 را با روش ماورا بنفش یا EUV آغاز کرده است. با این اتفاق، نسل جدید گوشی‌های هوشمند و اولترابوک‌ها به حافظه‌های پرسرعت تر و البته کم مصرف‌تر مجهز خواهند شد. همچنین به لطف استفاده از فرآیند ساخت 1ynm، تراکم ترانزیستورها بر روی هر ویفر بهبود یافته که باعث کاهش هزینه تولید می‌شود. SK Hynix سال گذشته اولین سری از ماژول های تجاری DDR5 DRAM را وارد بازار کرد که به واسطه عملکرد ECC بر روی هر تراشه، مصرف کاهش یافته و در عین حال پایداری بالاتر رفته است. ماژول های رده مصرف کنندگان عمومی نیز احتمالا در سال 2022 همزمان با عرضه نسل جدید پردازنده های اینتل و AMD راهی بازار خواهند شد.

تولید انبوه حافظه های 10 نانومتری نسل جدید توسط SK Hynix

البته با توجه به وضعیت فعلی کمبود تراشه در بازار بعید است که سطح قیمتی تراشه‌های نسل جدید حفظ شود. اتفاقی که به وضعیت بازار تراشه و کمبودهای فعلی موجود در آن بستگی دارد. در همین حال تراشه ساز کره‌ای در تلاش است که تراشه‌های DRAM نسل فعلی یعنی DDR4 و LPDDR4 را بهبود بخشد. امروز SK Hynix رسما اعلام کرد که تولید انبوه حافظه‌های 10 نانومتری DRAM LPDDR4 را در ظرفیت 8 گیگابیت بر پایه معماری 1ynm آغاز کرده است. معماری 1ynm در واقع نسل جدیدی از فرآیند ساخت 10 نانومتری محسوب می‌شود. اولین نسل گوشی‌ها و لپ تاپ‌های مجهز به این تراشه ها احتمالا در ادامه سال میلادی جاری وارد بازار خواهند شد. فناوری 1a دنبال کننده سه نسل از تراشه‌های 10 نانومتری DRAM است که 1x، 1z و 1y نام گذاری شده بودند.

مهم‌ترین پیشرفت اعمال شده در نسل جدید، افزایش 25 درصدی تعداد تراشه‌های DRAM نسبت به فرآیند ساخت  1aاست که قابلیت تولید در هر ویفر را دارا هستند. این اتفاق باعث می‌شود قیمت مصرف کننده تراشه‌های نسل جدید مناسب‌تر شود. همچنین SK Hynix در مورد افزایش تقاضا برای تراشه‌های حافظه نسل جدید خوشبین است. عملکرد تراشه‌های DRAM تولید شده با فرآیند 1ynm نیز قابل توجه بوده و به رقم 4266 مگابیت بر ثانیه می‌رسد. بدین ترتیب این تراشه‌ها سریع‌ترین حافظه‌های ساخته شده بر اساس مشخصات فنی پایه رم‌های LPDDR4 محسوب می‌شوند. ضمنا مصرف انرژی در این تراشه‌ها نیز 20 درصد کاهش پیدا کرده که می تواند باعث بهبود میزان شارژدهی باتری گوشی‌های هوشمند و لپ تاپ‌ها شود. SK Hynix از سال آینده تولید رم‌های DDR5 با معماری 1a را نیز آغاز خواهد کرد.

لینک منبع

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *