سامسونگ در بیانیه‌ای می‌گوید تولید انبوه حافظه‌ی ۲۳۶ لایه‌ی ۳D NAND را که از آن به‌عنوان هشتمین نسل حافظههای سری V-NAND خود یاد می‌کند، شروع کرده است. این حافظههای جدید دارای سرعت انتقال ۲٬۴۰۰ مگاترنسفربرثانیه هستند و وقتی با کنترلری پیشرفته ترکیب شوند، به درایوهای ذخیره‌سازی SSD امکان می‌دهند به سرعت انتقال ۱۲٫۴ گیگابایت‌برثانیه (یا حتی بیشتر) دست پیدا کنند.
براساس نوشته‌ی تامز هاردور، دستگاه مرجع سامسونگ با حافظه‌ی V-NAND نسل هشتم، ظرفیت ۱۲۸ گیگابایتی دارد. سامسونگ بدون اشاره به ظرفیت IC یا تراکم ادعا می‌کند این دستگاه جدید دارای «بیشترین تراکم بیت در صنعت» است.
به ادعای سامسونگ، با فرض ثابت بودن ظرفیت، نسل جدید حافظههای ۳D NAND این شرکت درمقایسه‌با حافظههای امروزی تا ۲۰ درصد بهره‌وری بیشتر دارد. این یعنی سامسونگ برای تولید حافظههای جدید متحمل هزینه‌های کمتری می‌شود و در نهایت ممکن است قیمت درایوهای SSD پایین بیاید.
سامسونگ هیچ جزئیاتی درباره‌ی معماری حافظه‌ی جدیدش منتشر نکرده است، اما براساس تصاویر رسمی، احتمال می‌دهیم حافظه‌ی ۲۳۶ لایه‌ی این شرکت از نوع حافظههای دو صفحه‌ای باشد.
سامسونگ فعلاً هیچ محصولی بر پایه‌ی حافظه‌ی نسل هشتمی V-NAND خود معرفی نکرده است.
دیدگاهتان را بنویسید