عرضه HBM3E 12-Hi سامسونگ در سه ماهه دوم ۲۰۲۴: ۱۲۸ گیگابایت DDR5 و ۶۴ ترابایت SSD

شرکت سامسونگ در جدیدترین گزارش درآمد خود، به‌روزرسانی مجموعه‌ای از مراکز داده خود را ارائه داد و تأیید کرد که نسل بعدی HBM3E، DDR5 و V-NAND در سه ماهه دوم سال جاری میلادی به بازار عرضه می‌شوند.

این کمپانی گزارش داد که شاهد رشد بی‌سابقه‌ای در حوزه هوش مصنوعی بوده و با چندین خط تولید جدید در این بخش پیش خواهد رفت. اول از همه باید گفت که، شرکت سامسونگ تولید انبوه حافظه HBM3E Shinebolt خود را آغاز کرده است، که برای اولین بار در ۸-Hi، طی این ماه عرضه می‌شود و پس از آن در سه ماهه دوم نسخه ۱۲-Hi را روانه بازار خواهد کرد. لازم به ذکر است که حافظه نسل بعدی تا ۳۶ گیگابایت ظرفیت برای هر پشته ارائه خواهد داد که باعث تولید محصولاتی با حداکثر ۲۸۸ گیگابایت بر روی یک تراشه ۸ ماژولی مانند MI300X شرکت AMD خواهد شد.

سامسونگ الکترونیک تولید انبوه HBM3E هشت لایه‌ای را در ماه آپریل آغاز کرد تا به تقاضای هوش مصنوعی مولد پاسخ دهد، به علاوه قصد دارد محصولات ۱۲ لایه‌ای خود را در سه ماهه دوم سال جاری میلادی به تولید انبوه برساند.

علاوه بر این، ما قصد داریم از طریق تولید انبوه و ارسال ۱b nano 32Gb (گیگابیت)، محصولات ۱۲۸GB مبتنی بر DDR5 (گیگابایت) در سه ماهه دوم، رهبری خود را در بازار سرور تقویت کنیم.

تولید کننده حافظه NAND قصد دارد با توسعه یک SSD با ظرفیت فوق‌العاده ۶۴ ترابایتی و ارائه نمونه‌ها در سه ماهه دوم سال جاری میلادی، به موقع به تقاضا برای هوش مصنوعی پاسخ دهد. همچنین این شرکت می‌خواهد با شروع تولید انبوه فناوری V9 برای اولین بار در صنعت، رهبری فناوری خود را ارتقا دهد.

سامسونگ (ترجمه ماشینی)

عرضه HBM3E 12-Hi سامسونگ در سه ماهه دوم 2024: 128 گیگابایت DDR5 و 64 ترابایت SSD

طبق گزارش‌ها، شرکت AMD قراردادی را با Samsung Foundry امضا کرده است که بر اساس آن حافظه DRAM HBM3E را برای استفاده در محصولات موجود و نسل بعدی خود مانند پردازنده‌های گرافیکی MI350/MI370 به‌روزرسانی شده که گفته می‌شود دارای ظرفیت حافظه افزایش یافته هستند، به کار خواهد برد.

در بخش DRAM DDR5، شرکت سامسونگ ماژول‌های حافظه ۱b(nm) 32 گیگابیتی خود را برای تولید انبوه در سه ماهه دوم سال ۲۰۲۴ به بازار عرضه خواهد کرد. این ICهای حافظه برای توسعه ماژول‌های ۱۲۸ گیگابایتی استفاده خواهند شد. گفتنیست که کمپانی سامسونگ قبلاً اولین نمونه از محصولات نسل بعدی DDR5 خود را برای مشتریان ارسال کرده است.

در نهایت باید اضافه کرد که، شرکت سامسونگ در حال به‌روزرسانی در زمینه فناوری حافظه‌ی SSD V-NAND است که منجر به معرفی SSD‌های مرکز داده با ظرفیت ۶۴ ترابایت خواهد شد. این SSDها در سه ماهه دوم سال ۲۰۲۴ برای مشتریان نمونه برداری خواهند شد. به علاوه این شرکت همچنین انتظار دارد تولید انبوه نسل نهم V-NAND خود را در سه ماهه سوم سال جاری میلادی آغاز کند. درایوهای SSD نسل نهم V-NAND بر اساس طراحی QLC (چهار سطح سلولی) خواهند بود. گزارش‌ها حاکی از آن است که TLC V-NAND (نسل نهم) این ماه تولید خود را آغاز خواهد کرد که دارای سرعت انتقال ۳۳ درصد سریع‌تر با نرخ ۳۲۰۰ MT/s خواهد بود. لازم به ذکر است که این SSDها از آخرین استاندارد PCIe Gen5 بهره می‌برند.

مطالب مرتبط:

Adblock test (Why?)

منبع خبر


دیدگاه‌ها

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

این سایت از اکیسمت برای کاهش هرزنامه استفاده می کند. بیاموزید که چگونه اطلاعات دیدگاه های شما پردازش می‌شوند.