سامسونگ سال آینده تولید انبوه تراشه‌ های ۲ نانومتری GAA را آغاز خواهد کرد

در سال جاری، شرکت سامسونگ به تولید تراشه‌های نسل دوم ۳ نانومتری می‌پردازد. به همین ترتیب، تولید انبوه تراشه ۲ نانومتری GAA سامسونگ به سال آینده موکول شده است.

در چند سال گذشته، سامسونگ شاهد کاهش شدیدی در کسب‌و‌کار تولید تراشه‌های نیمه هادی خود بوده است. هیچ شرکت بزرگ تولید تراشه (به‌غیر از بخش System LSI سامسونگ که تراشه‌های اگزینوس را تولید می‌کند) از فرآیند تولید ۳ نانومتری و نسل جدید فرآیند ۴ نانومتری Samsung Foundry استفاده نکرده است. با این حال، این شرکت همچنان با توسعه فرآیندهای پردازشی جدیدتر، از جمله فرآیند ۲ نانومتری، به پیش می‌رود.

GAA چیست؟

گزارش جدیدی از Business Korea نشان داد که Samsung Foundry در حال توسعه نسل بعدی فناوری Gate All Around (GAA) است که در فناوری فرآیند ۲ نانومتری این شرکت استفاده خواهد شد. تولید انبوه تراشه های نیمه هادی ۲ نانومتری مبتنی‌بر فناوری GAA سامسونگ برای سال آینده برنامه‌ریزی شده است. طبق گزارش‌ها، شرکت کره جنوبی مقاله‌ای در مورد فناوری نسل سوم GAA، که برای تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده می‌شود، در نمایشگاه VLSI Symposium 2024 ارائه خواهد کرد.

سامسونگ سال آینده تولید انبوه تراشه‌ های 2 نانومتری GAA را آغاز خواهد کرد

سمپوزیوم VLSI یکی از سه کنفرانس برتر جهانی نیمه هادی است که در آن فناوری‌های برتر در این زمینه موردبحث قرار می‌گیرد. دو کنفرانس برتر دیگر در رابطه با تراشه‌های نیمه هادی، نشست بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی (IEDM) و کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) هستند.

مزیت GAA چیست؟

GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که جریان در حال حرکت و راندمان توان را بهبود می‌بخشد. این محصول همراه با نسل اول فرآیند تولید ۳ نانومتری سامسونگ معرفی شد. با این حال، هیچ شرکت تولید تراشه دیگری از جمله ای‌ام‌دی، اپل، مدیاتک، انویدیا و کوالکام از آن استفاده نکرده است. انتظار می‌رود که بخش System LSI خود سامسونگ اولین شرکتی باشد که از فرآیند ۳ نانومتری Samsung Foundry برای تراشه‌های اگزینوس نسل بعدی در تلفن‌ها و ساعت‌های هوشمند استفاده می‌کند.

در مقایسه با تراشه‌های تولیدشده در فرآیند ۵ نانومتری Samsung Foundry، تراشه‌های نسل اول ۳ نانومتری GAA کاهش ۱۶ درصدی مساحت، ۲۳ درصد بهبود عملکرد و ۴۵ درصد بازده انرژی بالاتر را به نمایش گذاشتند. تخمین زده می‌شود که فرآیند ۳ نانومتری نسل دوم کاهش ۳۵ درصدی در اندازه تراشه، ۳۰ درصد بهبود عملکرد و ۵۰ درصد بازده انرژی بهتر را ارائه دهد. طبق گزارش‌ها، نسل سوم GAA که در تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد نیز ۵۰ درصد کاهش مساحت و ۵۰ درصد عملکرد بهتر را به ارمغان می‌آورد.

رقیب اصلی سامسونگ، TSMC، هنوز از فناوری Gate All Around در گره های فرآیند پیشرفته خود استفاده نکرده است. سامسونگ قصد دارد تراشه‌های نسل دوم ۳ نانومتری GAA (مانند گلکسی اس ۲۵) را در نیمه دوم سال جاری به تولید انبوه برساند. انتظار می رود اینتل و TSMC نیز از فناوری‌ GAA در فرآیندهای ۲ نانومتری نسل بعدی خود استفاده کنند.

Adblock test (Why?)

منبع خبر


دیدگاه‌ها

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

این سایت از اکیسمت برای کاهش هرزنامه استفاده می کند. بیاموزید که چگونه اطلاعات دیدگاه های شما پردازش می‌شوند.